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◆「XP-12」は「XP-10」の後継機で、歴代のパス社製プリアンプを担当しているプリアンプエンジニアのウェイン・コルバーン氏が設計。◆静電シールドとMu metalシールドでノイズ対策が施された高効率で低ノイズの新トロイダル電源トランスを搭載。◆前作「XP-10」は、オペアンプ内蔵ボリュームICとリレーを組合せ音量コントロール回路を形成していましたが、「XP-12」は、Muse社のボリュームICに新たに採用。パスは、このICの内蔵オペアンプを使用せず、自社でより大きな電圧を扱える専用アンプ回路を設計。その結果、リレーを使用せず使用パーツを減らし、よりシンプルながら100dBステップ(ユニティーゲイン=89dB)の低ノイズで低歪みの一段構成(シングルステージ)のボリューム回路を設計。◆ゲイン回路には、パスが全幅の信頼を置く東芝製MOS・FETとJFETを採用。これは同社XSプリアンプの開発で得られた、より大きなバイアスをかけた出力回路。■ 仕 様 ■
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◆「XP-12」は「XP-10」の後継機で、歴代のパス社製プリアンプを担当しているプリアンプエンジニアのウェイン・コルバーン氏が設計。
◆静電シールドとMu metalシールドでノイズ対策が施された高効率で低ノイズの新トロイダル電源トランスを搭載。
◆前作「XP-10」は、オペアンプ内蔵ボリュームICとリレーを組合せ音量コントロール回路を形成していましたが、「XP-12」は、Muse社のボリュームICに新たに採用。
パスは、このICの内蔵オペアンプを使用せず、自社でより大きな電圧を扱える専用アンプ回路を設計。
その結果、リレーを使用せず使用パーツを減らし、よりシンプルながら100dBステップ(ユニティーゲイン=89dB)の低ノイズで低歪みの一段構成(シングルステージ)のボリューム回路を設計。
◆ゲイン回路には、パスが全幅の信頼を置く東芝製MOS・FETとJFETを採用。これは同社XSプリアンプの開発で得られた、より大きなバイアスをかけた出力回路。
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2018年07月 発売